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多晶硅工厂设计规范 GB51034-2014
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附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度
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9.5 消防
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前言
1 总则
2 术语
3 基本规定
4 厂址选择及厂区规划
4.1 厂址选择
4.2 厂区规划
5 工艺设计
5.1 一般规定
5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
5.3 氯硅烷提纯
5.4 三氯氢硅氢还原
5.5 还原尾气干法回收
5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理
5.7 分析检测
6 电气及自动化
6.1 电气
6.2 自动化
7 辅助设施
7.1 压缩空气站
7.2 制氮站
7.3 制氢站
7.4 导热油
7.5 纯水制备
7.6 制冷
7.7 蒸汽
8 建筑结构
8.1 一般规定
8.2 主要生产厂房和辅助用房
8.3 防火、防爆
8.4 洁净设计及装修
8.5 防腐蚀
8.6 结构设计
9 给水、排水和消防
9.1 给水
9.2 排水
9.3 废水处理
9.4 循环冷却水系统
9.5 消防
10 采暖、通风与空气调节
10.1 一般规定
10.2 通风
10.3 空气调节与净化
10.4 防排烟
10.5 空调冷热源
11 环境保护、安全和卫生
11.1 环境保护
11.2 安全
11.3 卫生
12 节能、余热回收
12.1 一般规定
12.2 生产工艺
附录A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距
附录B 地下管线之间的最小水平净距
附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度
本规范用词说明
引用标准名录
